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參數資料
| 型號： | FQU3N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 575K |
| 代理商： | FQU3N60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQU3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FQU3P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQU3P20TU | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| FQU3P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
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