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參數資料
| 型號： | FS100R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | FS100R12KE3 |
Technische Information / technical information
FS100R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
-
-
0,26
K/W
-
-
0,48
K/W
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5
-
-
5
5
-
-
deviation of R
100
Verlustleistung
power dissipation
T
c
= 100°C, R
100
= 493
R/R
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
übergangs Wrmewiderstand
T
vjmax
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
operation temperature
Betriebstemperatur
T
stg
-40
-
125
6
Nm
°C
-
Al
2
O
3
-
%
T
c
= 25°C
k
Abweichung von R
100
R
25
-
0,009
-
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
T
c
= 25°C
B-value
-
3375
-
K
°C
B-Wert
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
P
25
K/W
20
mW
°C
150
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
T
vjop
-40
-
125
-
-
internal insulation
225
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M5
M
screw M5
CTI
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, juncton to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
R
thJC
300
g
weight
G
Gewicht
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
3
3 (8)
Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls
2001-08-16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS100R12KT3 | IGBT-Module |
| FS100R17KE3 | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| FS10AS-3 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10AS-3 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10ASH-06 | ER 6C 4#16 2#8 PIN RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS100R12KE3_03 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules |
| FS100R12KE3_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 140A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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