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參數資料
| 型號： | FS100R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | FS100R12KE3 |
Technische Information / technical information
FS100R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls
2001-08-16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS100R12KT3 | IGBT-Module |
| FS100R17KE3 | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| FS10AS-3 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10AS-3 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10ASH-06 | ER 6C 4#16 2#8 PIN RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS100R12KE3_03 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules |
| FS100R12KE3_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 140A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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