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參數資料
| 型號： | FS100R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | FS100R12KE3 |
Technische Information / technical information
FS100R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
109,19
6,499E-02
130,88
2,601E-02
242,02
2,601E-02
15,01
2,364E-03
27,26
2
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
4,93
1,187E-05
9,08
1,187E-05
4
Z
thJC
= f (t)
3
201,64
6,499E-02
2,364E-03
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
=15V, T
j
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
t
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
t
i
[s] : Diode
1
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
7 (8)
Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls
2001-08-16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS100R12KT3 | IGBT-Module |
| FS100R17KE3 | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| FS10AS-3 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10AS-3 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
| FS10ASH-06 | ER 6C 4#16 2#8 PIN RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS100R12KE3_03 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules |
| FS100R12KE3_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 140A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS100R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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