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參數(shù)資料
| 型號： | FXT601B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 160V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | FXT601B |
B
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
*
160 Volt V
CEO
*
Gain of 5K at I
C
=1 Amp
*
P
tot
= 1 Watt
APPLICATIONS
*
Lamp, solenoid and relay drivers
*
Replacement of TO126 and TO220 packages
REFER TO ZTX601B FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
180
V
Collector-Emitter Voltage
160
V
Emitter-Base Voltage
10
V
Peak Pulse Current
4
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
180
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
160
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.01
10
μ
A
μ
A
V
CB
=160V
V
CB
=160V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=8V, I
C
=0
Colllector-Emitter
Cut-Off Current
I
CES
10
μ
A
V
CES
=160V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.75
0.85
1.1
1.2
V
V
I
C
=0.5A, I
=5mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.7
1.9
V
I
C
=1A, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1.5
1.7
V
IC=1A, V
CE
=5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
5K
10K
5K
10K
20K
10K
100K
I
C
=50mA, V
CE
=10V*
I
C
=0.5A, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
150
250
MHz
I
=100mA, V
CE
=10V
f=20MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
FXT601B
3-42
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT614 | Obsolete - alternative part: ZTX614 |
| FXT649 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-237VAR |
| FXT653 | Obsolete - alternative part: ZTX653 |
| FY8AAJ03A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| FY8AAJ-03F | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FXT601BSM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO |
| FXT601BSTOA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT601BSTOB | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT601BSTZ | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT603 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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