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參數資料
| 型號： | FXT705 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | FXT705 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 FEB 94
FEATURES
*
120 Volt V
CEO
*
Gain of 3K at I
C
=1 Amp
*
P
tot
= 1 Watt
APPLICATIONS
*
Lamp, solenoid and relay drivers
*
Replacement of TO126 and TO220 darlingtons
REFER TO ZTX705 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-140
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-120
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Peak Pulse Current
I
CM
-4
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-140
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-120
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=-120V, I
E
=0
V
CB
=-120V,
T
amb
=100°C
V
CES
=-80V
Collector Cut-Off
Current
I
CES
-10
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-8V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-1.3
-2.5
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-1mA*
I
C
=-2A, I
B
=-2mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.8
V
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.7
V
IC=-1A, V
CE
=-5V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
3k
3k
3k
2k
30k
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=20MHz
Transition
Frequency
f
T
160
MHz
FXT705
3-55
B
E-Line
TO92 Compatible
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT749 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXT751 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXT753 | CONN 30POS 2MM SOCKET STR PC SMD |
| FXTA92 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FY5ACJ-03A | JT 4C 4#16 SKT WALL RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FXT705STOA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT705STOB | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT705STZ | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FXT749 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT749SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
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