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參數(shù)資料
| 型號： | FZ1200R12KF4 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | FZ1200R12KF4 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZ1200R16KF1 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 1.2KA I(C) |
| FZ1200R17KF6CB2V | IGBT Module |
| FZ2400R17KF6CB2 | IGBT Module |
| FZ240R17KF | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 240A I(C) |
| FZ24R12K4 | IGBT Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZ1200R12KF5 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 1200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1200R12KL4C | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1200R16KF1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 1.2KA I(C) |
| FZ1200R16KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 1600V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ1200R16KF4S1 | 功能描述:IGBT 模塊 1600V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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