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參數資料
型號: FZT1051
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 46K
代理商: FZT1051
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 4 - FEBRUARY 1998
FEATURES
*
*
*
*
*
*
V
CEO
= 40V
5 Amp Continuous Current
20 Amp Pulse Current
Low Saturation Voltage
High Gain
Extremely Low Equivalent On-resistance;
R
CE(sat)
= 50m
at 5A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Peak Pulse Current
I
CM
10
A
Continuous Collector Current
I
C
5
A
Base Current
I
B
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2.5
W
Operating and Storage Temperature
Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
The power which can be dissipated assuming the device is mounted in typical manner on a PCB
with copper equal to 2 inches x 2 inches.
FZT1051A
C
C
E
B
相關PDF資料
PDF描述
FZT1051A NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT660
FZT660A
FZTA63 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
G0100RR Special Function Video Processor
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參數描述
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