型號: | FZT957 |
廠商: | ZETEX PLC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS |
中文描述: | 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 101K |
代理商: | FZT957 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FZT958 | PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS |
FZTA64 | RES MF 1.5K 5% .25W |
FZTA92 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
i960 VH | Embedded-PCI Processor(嵌入式PCI處理器) |
ICS524 | LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FZT957TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT957TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT958 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT |
FZT958TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
FZT958TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighCt HighV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |