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參數(shù)資料
| 型號： | GP1S094HCZ0F |
| 廠商： | Sharp Microelectronics |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| 產(chǎn)品變化通告： | Internal Chip Change 04/May/2007 |
| 標準包裝： | 100 |
| 檢測距離： | 0.118"（3mm） |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 35V |
| 響應時間： | 50µs，50µs |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 管件 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -25°C ~ 85°C |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 425-1964-5 |
5
Sheet No.: D3-A00601EN
GP1S094HCZ0F
Fig.7 Collector-emitter Saturation Voltage vs.
Ambient Temperature
Fig.8 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
Fig.9 Response Time vs. Load Resistance Fig.10 Test Circuit for Response Time
Fig.11 Detecting Position Characteristics (1) Fig.12 Detecting Position Characteristics (2)
Remarks : Please be aware that all data in the graph are just for reference and not for guarantee.
Ambient temperature T
a
(贑)
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
25 0 25 50 75 85
I
F
=10mA
I
C
=40糀
Load resistance R
L
(k)
0.1
1
10
100
1
10
100
1 000
t
r
t
f
t
d
t
s
V
CE
5V
I
C
100A
10%
Input
Output
Input
Output
90%
V
CC
R
D
R
L
t
f
t
r
t
d
t
s
Ambient temperature T
a
(贑)
0
25
50 75
100
10
6
10
7
10
8
10
9
10
10
V
CE
20V
Shield moving distance L (mm)
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
L=0
L
I
F
=5mA
V
CE
=5V
Shield moving distance L (mm)
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
L=0
I
F
=5mA
V
CE
=5V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1S096HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU |
| GP1S097HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S196HCZ0F | SENSR OPTO SLOT 1.1MM TRANS THRU |
| GP1S51VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| GP1S52VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP1S096HCZ | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S096HCZ0F | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 1.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| GP1S097HCZ | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S097HCZ0F | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 2.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| GP1S10 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Photointerrupter with Dust Cover |
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