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參數(shù)資料
| 型號： | GP1S094HCZ0F |
| 廠商： | Sharp Microelectronics |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 描述： | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| 產(chǎn)品變化通告： | Internal Chip Change 04/May/2007 |
| 標準包裝： | 100 |
| 檢測距離： | 0.118"（3mm） |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 35V |
| 響應時間： | 50µs，50µs |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 管件 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -25°C ~ 85°C |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 2776 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 425-1964-5 |
6
Sheet No.: D3-A00601EN
GP1S094HCZ0F
?SPAN class="pst GP1S094HCZ0F_2587092_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 1.6mm or more from the top of elements.
(Example)
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photointerrupter will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Parts
This product is assembled using the below parts.
" Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor Silicon (Si)
930
700 to 1 200
20
" Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
" Material
Case
Lead frame
Lead frame plating
Black polyphernylene
sul de resin (UL94 V-0)
42Alloy
SnCu plating
1.6mm or more
1.6mm or more
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GP1S096HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU |
| GP1S097HCZ0F | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| GP1S196HCZ0F | SENSR OPTO SLOT 1.1MM TRANS THRU |
| GP1S51VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
| GP1S52VJ000F | SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP1S096HCZ | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S096HCZ0F | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 1.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| GP1S097HCZ | 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB RoHS:否 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| GP1S097HCZ0F | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） Photointerrupter Sub mini 2.0mm gap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| GP1S10 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Photointerrupter with Dust Cover |
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