- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385315 > GS816218D-200 (GSI TECHNOLOGY) 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS816218D-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 25/41頁 |
| 文件大小： | 980K |
| 代理商： | GS816218D-200 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁
Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
25/41
1999, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKC
tKL
tKL
tKH
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816218D-200I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-225 | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-225I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-250 | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218D-250I | 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS816218DB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。