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參數資料
| 型號： | GS8322V18E-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 10/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V18E-200I |
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Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
10/42
2003, GSI Technology
GS8322V18/36 119-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
SCD
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
V
DD
V
SS
V
SS
V
DDQ
I
Scan Test Clock
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8322V18E-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| GS8322V72C-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8322V72C-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
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