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參數資料
| 型號： | GS8322V18E-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 33/42頁 |
| 文件大小： | 1038K |
| 代理商： | GS8322V18E-200I |
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Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
33/42
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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