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參數資料
| 型號： | GS8322V18E-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 4/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 1038K |
| 代理商： | GS8322V18E-200I |
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Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
4/42
2003, GSI Technology
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS8322V72 209-Bump BGA Pin Description (Continued)
Symbol
Type
Description
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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