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參數資料
| 型號： | GS832418B-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁數： | 11/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B-200I |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
11/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
GS832418/36/72 Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0–An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx0–DQx9
36
36
Note: Only x36 version shown for simplicity.
SCD
36
36
B
B
B
C
B
D
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PDF描述 |
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