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參數(shù)資料
型號(hào)： GS832418B-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 6/46頁(yè)
文件大小： 1149K
代理商： GS832418B-200I
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
6/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
D6
G
I
Output Enable; active low
A7
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
A5, A6
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
P6
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
L6
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
T6
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
N6
SCD
I
Single Cycle Deselect/Dual Cycle Deselect Mode Control (
x72/x36 Versions)
G6
MCH
I
Must Connect High
A4
MCH
I
Must Connect High (x18 version)
H6, J6, K6, M6
MCL
Must Connect Low
A8, N6
MCL
Must Connect Low (x18 version)
B6
BW
I
Byte Enable; active low
F6
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
W3
TMS
I
Scan Test Mode Select
W4
TDI
I
Scan Test Data In
W8
TDO
O
Scan Test Data Out
W9
TCK
I
Scan Test Clock
E5, E6, E7, G5, G7, J5, J7, L5, L7, N5, N7, R5,
R6, R7
D3, D9, F3, F4, F5, F7, F8, F9, H3, H4, H5, H7,
H8, H9, K5, K7, M3, M4, M5, M7, M8, M9, P3,
P4, P5, P7, P8, P9, T3, T9
E3, E4, E8, E9, G3, G4, G8, G9, J3, J4, J8, J9,
L3, L4, L8, L9, N3, N4, N8, N9, R3, R4, R8, R9
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS832418/36/72 209-Bump BGA Pin Description
Pin Location
Symbol
Type
Description
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS832418B-250 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS832418C-133 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS8324Z72C200 制造商:G.S.I. 功能描述:
GS8342D06BD-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS8342D06BD-500 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
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