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參數資料
| 型號： | GS832418B-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁數： | 8/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1149K |
| 代理商： | GS832418B-200I |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
8/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
GS832418B Pad Out
119-Bump BGA—Top View
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7 x 17 Bump BGA—14 x 22 mm
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Body—1.27 mm Bump Pitch
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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