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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS864236GB-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/35頁(yè) |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864236GB-200V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
22/35
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864236GB-250IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864236GB-250V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-167IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-167V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864272C-200IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS864236GB-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864236GB-250M | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS864236GB-250M - Trays |
| GS864236GB-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 72MBIT 2MX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS864236GB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 5.5NS/2.3NS 119FBGA - Trays |
| GS864272C-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 72MBIT 1MX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
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