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參數(shù)資料
型號(hào): GS8662S09E-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數(shù): 10/37頁
文件大小: 960K
代理商: GS8662S09E-250
A
K
D
C
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R/W
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0
–A
n
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0
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1
–D
n
Bank 0
Bank 1
Bank 2
Bank 3
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0
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Q
Q
Q
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1
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n
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1
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1
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2
R/W
2
LD
3
R/W
3
Note:
For simplicity BWn is not shown.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
10/37
2005, GSI Technology
Example Four Bank Depth Expansion Schematic
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PDF描述
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