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參數資料
型號: GS8662S09E-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數: 25/37頁
文件大小: 960K
代理商: GS8662S09E-250
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
25/37
2005, GSI Technology
C Controlled Read-First Timing Diagra
m
Read A
Write B
Read C
Read D
Deselect
Deselect
A
B
C
D
B
B+1
B
B+1
A
A+1
C
C+1
D
D+1
CQHQX
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CHCQV
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CHCH#
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K
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Address
LD
R/W
BWx
D
C
C
Q
CQ
CQ
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