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參數資料
型號: GS8662S09E-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數: 4/37頁
文件大?。?/td> 960K
代理商: GS8662S09E-250
4M x 18 SigmaQuad SRAM—Top View
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TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
2.
BW0 controls writes to D0:D8. BW1 controls writes to D9:D17.
It is recommended that H1 be tied low for compatibility with future devices.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
4/37
2005, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
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GS88136AT-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數描述
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