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參數資料
| 型號： | GSD2004W-V-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | DIODE 0.225 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 300 Volt 225mA 50ns |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | GSD2004W-V-GS18 |
www.vishay.com
2
Document Number 85729
Rev. 1.6, 12-Aug-10
GSD2004W-V
Vishay Semiconductors
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DiodesEurope@vishay.com
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Reverse breakdown voltage
Package Dimensions
in millimeters (inches):
SOD-123
Test condition
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 240 V
V
R
= 240 V, T
j
= 150 °C
I
F
= 20 mA
I
F
= 100 mA
V
F
= V
R
= 0, f = 1 MHz
I
F
= I
R
= 30 mA, I
rr
= 3 mA,
R
L
= 100
Ω
Symbol
V
(BR)
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
Min.
300
Typ.
Max.
Unit
V
Leakage current
100
nA
μ
A
V
100
Forward voltage
0.83
0.87
1
V
Diode capacitance
5
pF
Reverse recovery time
t
rr
50
ns
0
2.
8
5 (0.112)
2.55 (0.100)
3.
8
5 (0.152)
3.55 (0.140)
1
1
Mo
u
nting Pad Layo
u
t
2.5 (0.09
8
)
0.
8
5 (0.033)
0.
8
5 (0.033)
0
8
5
Cathode
b
ar
0
0
8
)
0
1
0
1
0
8
)
0o
8
°
0.45 (0.01
8
)
0.25 (0.010)
0.5 (0.020) ref.
Re
v
. 4 - Date: 24. Sep. 2009
Doc
u
ment no.: S
8
-
V
-3910.01-001 (4)
17432
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