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參數資料
型號: HS-6617RH
廠商: Intersil Corporation
英文描述: Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM
中文描述: 輻射加固2K × 8的CMOS胎膜早破
文件頁數: 10/14頁
文件大小: 128K
代理商: HS-6617RH
10
HS-6617RH
Metallization Topology
DIE DIMENSIONS:
164 x 250 x 19
±
1mils
METALLIZATION:
Type: Silicon-Aluminum
Thickness: 13k
±
2k
GLASSIVATION:
Type: SiO
2
Thickness: 8k
±
1k
WORST CASE CURRENT DENSITY:
1 x 10
5
A/cm
2
SUBSTRATE POTENTIAL:
VDD
Metallization Mask Layout
HS-6617RH
A2 (6)
A1 (7)
A0 (8)
Q
Q
Q
G
Q
Q
Q
Q
Q
(20) G
(19) A10
(18) E
(
(
(
(
(
(
(
(
(
Spec Number
518742
相關PDF資料
PDF描述
HS-6664RH Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM
HS-801 ECL
HS-807 ECL
HS-809 ECL
HS-80A ECL
相關代理商/技術參數
參數描述
HS-6617RH_00 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM
HS-6617RH-T 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM
HS662 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC
HS663 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC
HS664 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC
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