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參數(shù)資料
| 型號： | HS-6617RH |
| 廠商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
| 中文描述： | 輻射加固2K × 8的CMOS胎膜早破 |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | HS-6617RH |
5
HS-6617RH
TABLE 5. BURN-IN DELTA PARAMETERS (+25
o
C)
PARAMETER
SYMBOL
DELTA LIMITS
Standby Supply Current
IDDSB
±
10
μ
A
Input Leakage Current
IOZ
±
1
μ
A
II
±
100nA
Output Low Voltage
VOL
±
60mV
Output High Voltage
VOH
±
400mV
TABLE 6. APPLICABLE SUBGROUPS
CONFORMANCE
GROUP
MIL-STD-883
METHOD
GROUP A SUBGROUPS
TESTED FOR -Q
RECORDED
FOR -Q
TESTED FOR -8
RECORDED
FOR -8
Initial Test
100% 5004
1, 7, 9
1 (Note 2)
1, 7, 9
Interim Test
100% 5004
1, 7, 9,
1,
(Note 2)
1, 7, 9
PDA
100% 5004
1, 7,
-
1, 7
Final Test
100% 5004
2, 3, 8A, 8B, 10, 11
-
2, 3, 8A, 8B, 10, 11
Group A (Note 1)
Sample 5005
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11
-
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9,
10, 11
Subgroup B5
Sample 5005
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11,
1, 2, 3,
(Note 2)
-
Subgroup B6
Sample 5005
1, 7, 9
-
-
Group C
Sample 5005
-
-
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9,
10, 11
Group D
Sample 5005
1, 7, 9
-
1, 7, 9
Group E, Subgroup 2
Sample 5005
1, 7, 9
-
1, 7, 9
NOTES:
1. Alternate Group A testing in accordance with MIL-STD-883 method 5005 may be exercised.
2. Table 5 parameters only
Spec Number
518742
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HS-6664RH | Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM |
| HS-801 | ECL |
| HS-807 | ECL |
| HS-809 | ECL |
| HS-80A | ECL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HS-6617RH_00 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
| HS-6617RH-T | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
| HS662 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
| HS663 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
| HS664 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Peripheral IC |
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