- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367264 > HUF76105SK8T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SO PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HUF76105SK8T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 5.5AI（四）|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 673K |
| 代理商： | HUF76105SK8T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76129S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 56A I(D) | TO-263AB |
| HUF76132S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUF76132SK8T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SO |
| HUF76137S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUF76139S3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HUF76107D3 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76107D3S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76107D3ST | 功能描述:MOSFET USE 512-FDD6630A Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76107P3 | 功能描述:MOSFET 20a 30V 0.052 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76107P3_R4782 | 功能描述:MOSFET USE 512-FDP6030BL Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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