型號(hào): | HUF76121SK8T |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五(巴西)直| 8A條(?。﹟蘇 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/11頁(yè) |
文件大?。?/td> | 673K |
代理商: | HUF76121SK8T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HUF76129S3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 61A I(D) | TO-262AA |
HUF76633S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-263AB |
HUF76639P3T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-220AB |
HUF76639S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-263AB |
HUF76645S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HUF76122P3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
HUF76129D3 | 功能描述:MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
HUF76129D3S | 功能描述:MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
HUF76129D3ST | 功能描述:MOSFET USE 512-FDD8878 Logic Level 0.016Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
HUF76129P3 | 功能描述:MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |