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參數資料
| 型號： | HUF76129S3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 61A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 61A條（丁）|對262AA |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 673K |
| 代理商： | HUF76129S3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76633S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-263AB |
| HUF76639P3T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-220AB |
| HUF76639S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-263AB |
| HUF76645S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75639S3R4851 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 115V V(BR)DSS | 56A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HUF76129S3S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76129S3ST | 功能描述:MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76129S3STK | 功能描述:MOSFET 56a 30V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76131SK8 | 功能描述:MOSFET 10a 30V 0.013 Ohm 1Ch HS Logic Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76131SK8T | 功能描述:MOSFET USE 512-FDS6690A 1Ch HS Logic Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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