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參數資料
型號： HY27SS16561M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 27/44頁
文件大小： 733K
代理商： HY27SS16561M
Rev 0.7 / Oct. 2004
27
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Table 13: DC Characteristics, 3.3V Device and 1.8V Device
Symbol
Parameter
Test Condition
3.3V Device
1.8V Device
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
I
CC1
Operating
Current
Sequentia
Read
t
RLRL
minimum
CE=V
IL
, I
OUT
= 0 mA
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC2
Program
-
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC3
Erase
-
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC4
Stand-by Current (TTL)
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC,
GND(Pin #6)=0V/Vcc
-
-
1
-
-
1
mA
I
CC5
Stand-By Current
(CMOS)
CE=V
CC
-0.2, WP=0/V
CC
GND(Pin #6)=0V/Vcc
-
10
50
-
10
50
uA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 0 to V
CC
max
-
-
±
10
-
-
±
10
uA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 0 to V
CC
max
-
-
±
10
-
-
±
10
uA
V
IH
Input High Voltage
-
2.0
-
V
CC
+0.3
V
CC
-0.4
V
CC
+0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
-0.3
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
Level
I
OH
= -400uA
(for 3.3V Device)
I
OH
= -100uA
(for 1.8V Device)
2.4
-
-
V
CC
-0.1
-
-
V
V
OL
Output Low Voltage Lev-
el
I
OL
= 2.1mA
(for 3.3V Device)
I
OL
= 100uA
(for 1.8V Device)
-
-
0.4
-
-
0.1
V
I
OL
(RB)
Output Low Current (RB)
V
OL
= 0.4V
(for 3.3V Device)
V
OL
= 0.1V
(for 1.8V Device)
8
10
-
3
4
-
mA
V
LKO
V
DD
Supply Voltage
(Erase and Program
lockout)
-
-
-
2.5
-
-
1.5
V
相關PDF資料
PDF描述
HY27US08561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SSxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27SS08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27SS16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
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