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參數資料
| 型號： | HY27US08561M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數： | 26/44頁 |
| 文件大小： | 733K |
| 代理商： | HY27US08561M |
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Rev 0.7 / Oct. 2004
26
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Table 11: Operating and AC Measurement Conditions
Note : (1). TBD
Table 12: Capacitance
Note: T
A
= 25
o
C
, f = 1 MHz. C
IN
and C
I/O
are not 100% tested.
Parameter
NAND Flash
Unit
Min
Max
Supply Voltage (V
CC
)
1.8V devices
1.7
1.95
V
2.6V devices
(1)
2.4
2.8
V
3.3V devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (T
A
)
Commercial Temp.
0
70
o
C
Indurstrial Temp.
-40
85
o
C
Load Capacitance (C
L
) (1 TTL GATE and C
L
)
1.8V devices
30
pF
2.6V devices
(1)
30
pF
3.3V devices
100
pF
Input Pulses Voltages
1.8V devices
0
V
CC
V
2.6V devices
(1)
0
V
CC
V
3.3V devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V devices
V
CC
/2
V
2.6V devices
(1)
V
3.3V devices
1.5
V
Input Rise and Fall Times
5
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
10
pF
C
I/O
Input/Output Capacitance
V
IL
= 0V
10
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27SSxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27USxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY27US16121A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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