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參數資料
型號： HY27US08561M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 36/44頁
文件大?。?/td> 733K
代理商： HY27US08561M
Rev 0.7 / Oct. 2004
36
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Figure 30. Block Erase AC Waveform
Figure 31. Reset AC Waveform
I/O
WE
CE
CLE
ALE
RE
RB
70h
SR0
tBLBH3
(Erase Busy time)
tWLWL
(Write Cycle time)
Block Erase
Setup Command
Block Address Input
Confirm
Code
Block Erase
Read Status Register
60h
Add. N
cycle 1
Add. N
cycle 2
D0h
FFh
tBLBH4
(Reset Busy time)
ALE
I/O
RE
WE
CLE
RB
相關PDF資料
PDF描述
HY27SSxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
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HY27US08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27USxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
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參數描述
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