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參數資料
| 型號： | HY27US08561M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數： | 43/44頁 |
| 文件大小： | 733K |
| 代理商： | HY27US08561M |
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Rev 0.7 / Oct. 2004
43
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
MARKING INFORMATION -
TSOP1/WSOP
Packag
Marking Example
TSOP1
/
WSOP
K
O
R
H
Y
2
7
x
S
x
x
5
6
1
M
x
x
x
x
Y
W
W
x
x
- hynix
- KOR
- HY27xSxx121mTxB
HY:
HYNIX
27:
NAND Flash
x:
Power Supply
S:
Classification
xx:
Bit Organization
56:
Density
1:
Mode
M:
Version
x:
Package Type
x:
Package Material
x:
Operating Temperature
x:
Bad Block
- Y:
Year (ex: 4=year 2004, 05= year 2005)
- ww:
Work Week (ex: 12= work week 12)
- xx:
Process Code
Note
- Capital Letter
- Small Letter
: Hynix Symbol
: Origin Country
: U(2.7V~3.6V), S(1.7V~2.2V)
: Single Level Cell+Single Die
: 08(x8), 16(x16)
: 256Mb
: 1nCE & 1R/nB; CE don't care
: 1st Generation
: T(TSOP1), V(WSOP)
: Blank(Normal), P(Lead Free)
: C(0
℃
~70
℃
), E(-25
℃
~85
℃
)
I(-40
℃
~85
℃
)
: B(Included Bad Block), S(1~5 Bad Block),
P(All Good Block)
: Fixed Item
: Non-fixed Item
: Part Number
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27SSxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27USxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY27US16121A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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