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參數資料
| 型號： | HY27USxxx |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數： | 27/43頁 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | HY27USXXX |
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Rev 0.6 / Oct. 2004
27
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 13: DC Characteristics, 3.3V Device and 1.8V Device
Sym-
bol
Parameter
Test Condition
3.3V Device
1.8V Device
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
I
CC1
Operating
Current
Sequentia
Read
t
RLRL
minimum
CE=V
IL
, I
OUT
= 0 mA
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC2
Program
-
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC3
Erase
-
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC4
Stand-by Current (TTL)
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC
-
-
1
-
-
1
mA
I
CC5
Stand-By Current
(CMOS)
CE=V
CC
-0.2,
WP=0/V
CC
-
10
50
-
10
50
uA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 0 to V
CC
max
-
-
±
10
-
-
±
10
uA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 0 to V
CC
max
-
-
±
10
-
-
±
10
uA
V
IH
Input High Voltage
-
2.0
-
V
CC
+0.3
V
CC
-0.4
V
CC
+0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
-0.3
0.4
V
V
OH
Output High Voltage Level
3.3V I
OH
= -400uA
2.4
-
-
V
CC
-0.1
-
-
V
1.8V I
OH
= -100uA
V
OL
Output Low Voltage Level
3.3V I
OL
= 2.1mA
-
-
0.4
-
-
0.1
V
1.8V I
OL
= 100uA
I
OL
(RB)
Output Low Current (RB)
3.3V V
OL
= 0.4V
8
10
-
3
4
-
mA
1.8V V
OL
= 0.1V
V
LKO
V
DD
Supply Voltage
(Erase and Program
lockout)
-
-
-
2.5
-
-
1.5
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002T | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29DL162 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M |
| HY29DL162BF-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
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