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參數資料
型號: HY29F080G70
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
中文描述: 8兆位(1米× 8),5伏只,閃存
文件頁數: 22/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080G70
22
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
Figure 11. Test Setup
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F080-70, -90, -12 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
t
e
T
d
n
o
n
o
C
0
0
2
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8
V
t
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s
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關PDF資料
PDF描述
HY29F080G90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080R12 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
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HY29F080R90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080T12 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
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HY29F080G-70E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G-90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-90E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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