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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F080G70 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1米× 8），5伏只，閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/38頁(yè) |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | HY29F080G70 |
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27
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or t
WHWH3
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
0x555 for chip erase
0x10 for
chip erase
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
OUT
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 16. Sector/Chip Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080G90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080T12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F080G-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080G-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080G90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080G-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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