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參數資料
| 型號： | HY29F080G90 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1米× 8），5伏只，閃存 |
| 文件頁數： | 22/38頁 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | HY29F080G90 |
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22
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
TEST CONDITIONS
Table 7. Test Specifications
Figure 11. Test Setup
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F080-70, -90, -12 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
t
e
T
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C
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2
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8
V
t
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s
0
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080R12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080T12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G-12 | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F080G-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080G-90E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080R-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F080R-12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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