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1N5186US

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • FAST RECOVERY RECTFR 100V 3A 2PIN D-5B - Bulk
1N5186US 技術參數
  • 1N5186 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5184 功能描述:DIODE GEN 10KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10000V（10kV） 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 10000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S，軸向 供應商器件封裝:S，軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5183 功能描述:DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:7500V（7.5kV） 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7500V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S，軸向 供應商器件封裝:S，軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5182 功能描述:DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:5000V（5kV） 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S，軸向 供應商器件封裝:S，軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5181 功能描述:DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:4000V（4kV） 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:10V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S，軸向 供應商器件封裝:S，軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5195 1N5195UR 1N5196 1N5196UR 1N5221A 1N5221A (DO-35) 1N5221B 1N5221B (DO-35) 1N5221B A0G 1N5221B BK 1N5221B TR 1N5221B_T50R 1N5221BDO35 1N5221BDO35E3 1N5221B-T 1N5221BTA 1N5221B-TAP 1N5221B-TP
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