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1N5231B_NT50A

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1N5231B_NT50A
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
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SAMSUNG
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功能描述
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5231B_NT50A 技術參數

1N5231B TR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5231B BK 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5231B A0G 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5231B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5231B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5231BTR 1N5231B-TR 1N5231BUR-1 1N5231C 1N5231C-TAP 1N5231CTR 1N5231C-TR 1N5231TA 1N5232A (DO-35)TR 1N5232B 1N5232B (DO-35) 1N5232B A0G 1N5232B BK 1N5232B TR 1N5232B_S00Z 1N5232B_T26A 1N5232B_T50A 1N5232B_T50R