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1N5231E3TR

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1N5231E3TR 技術參數
  • 1N5231C-TR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5231CTR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5231C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5231C 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5231BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N5232B_T50A 1N5232B_T50R 1N5232B-T 1N5232BTA 1N5232B-TAP 1N5232B-TP 1N5232BTR 1N5232B-TR 1N5232BUR-1 1N5232C-TAP 1N5232C-TR 1N5232TA 1N5233A 1N5233A (DO-35) 1N5233B 1N5233B (DO-35) 1N5233B A0G 1N5233B BK
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