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1N5521B-1

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制造商
CDI-DIODE
制造商全稱
Compensated Deuices Incorporated
功能描述
LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS

1N5521B-1 技術參數

1N5521B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5521B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5520BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5520B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5520B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1 1N5528B 1N5528B (DO35) 1N5528BUR-1 1N5529B 1N5529B (DO35) 1N5529BUR-1 1N5530B 1N5530B (DO35) 1N5530BUR-1 1N5531B 1N5531B (DO35)