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1N5526BUR-1

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1N5526BUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 6.8V 5% 417MW 2PIN DO-213AA - Bulk
1N5526BUR-1 技術參數(shù)
  • 1N5526B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5525B-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 1N5525B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5525B 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 1N5524B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5530B 1N5530B (DO35) 1N5530BUR-1 1N5531B 1N5531B (DO35) 1N5531BUR-1 1N5532B 1N5532B (DO35) 1N5532BUR-1 1N5533B 1N5533BUR-1 1N5534B 1N5534BUR-1 1N5535B 1N5535BUR-1 1N5536B 1N5536BUR-1 1N5537B
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