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1N5999

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1N5999B
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
MSC
DO-35
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-
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1N5999 技術參數

1N5998UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5998UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5998D 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5998C 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5998B-TP 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5999UR-1 1N6000A 1N6000B 1N6000B BK 1N6000B TR 1N6000B_T50A 1N6000B_T50R 1N6000C 1N6000D 1N6000UR 1N6000UR-1 1N6001A 1N6001B 1N6001B_T50A 1N6001B_T50R 1N6001C 1N6001D 1N6001UR