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1N6012BTA2

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1N6012BTA2 技術參數
  • 1N6012B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6012B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6012B BK 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N6012B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6012A 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6013B_T50R 1N6013B-TP 1N6013C 1N6013D 1N6013UR 1N6013UR-1 1N6014A 1N6014B 1N6014B_T50A 1N6014B_T50R 1N6014C 1N6014D 1N6014UR 1N6014UR-1 1N6015A 1N6015B 1N6015B_T50A 1N6015B_T50R
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