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1N6483-E3

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  • 1N6483-E3/1
    1N6483-E3/1

    1N6483-E3/1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 850000

  • Vishay Semiconductors

  • DO-213AB

  • 12+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨庫(kù)存!400-800-030...

  • 1N6483-E3/96
    1N6483-E3/96

    1N6483-E3/96

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 9000

  • VIS

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.13806 USD,szpoweri...

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  • 1
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1N6483-E3 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6482HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6482HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N6482-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6482-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6481HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6485US 1N6486 1N6486US 1N6487 1N6487US 1N6488 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509
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