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2N652A

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  • 2N652A
    2N652A

    2N652A

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • MOT

  • CAN3

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 2N652A
    2N652A

    2N652A

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SSI

  • 標準封裝

  • 08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N652A
    2N652A

    2N652A

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9331

  • MOT

  • CAN

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • alloy-junction germanium transistors
2N652A 技術參數
  • 2N6520TA 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:1 2N6520RLRAG 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N6520RLRA 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10 2N6520BU 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N6520 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:40MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N6648 2N6649 2N6650 2N6660 2N6660-2 2N6660-E3 2N6660JTVP02 2N6660JTX02 2N6660JTXL02 2N6660JTXP02 2N6660JTXV02 2N6661 2N6661-2 2N6661-E3 2N6661JAN02 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02
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