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2N6660-E3

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N6660-E3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
SIX
200/BOX
4200
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N6660-E3
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
VISHAY
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

2N6660-E3
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
125
VISHAY
TO39()
0616+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共12條
1

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2N6660-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET 60V 0.99A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2N6660-E3 技術參數

2N6660-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:990mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-205AF（TO-39）標準包裝:20 2N6660 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:410mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N6650 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6649 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6648 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02 2N6661JTXP02 2N6661JTXV02 2N6667 2N6667G 2N6668 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714