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2N7002F215

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N7002F215
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
NXP
原廠封裝
07/08+
-

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 60V 475MA 3-SOT-23

2N7002F215 技術(shù)參數(shù)

2N7002F,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:475mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 2N7002ET3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 240mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.81nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26.7pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 2N7002E-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002ET1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 240mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.81nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26.7pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 2N7002E-T1-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21pF @ 5V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP 2N7002KW 2N7002L 2N7002LT1 2N7002LT1G 2N7002LT3 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH 2N7002PS/ZLX