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AOB266L

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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • AOB266L
    AOB266L

    AOB266L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • AOB266L
    AOB266L

    AOB266L

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 50008

  • YXYBDT臺灣

  • TO-263

  • 2024+

  • -

  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • AOB266L
    AOB266L

    AOB266L

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯系人：馬先生

    電話：19166264056

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66880

  • VBsemi

  • TO263

  • 22+

  • -

  • 授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

  • AOB266L
    AOB266L

    AOB266L

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯系人：周小姐

    電話：1916620305713760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66880

  • AO

  • TO263

  • 22+

  • -

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AOB266L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 60V 140A TO263
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOB266L 技術參數
  • AOB264L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），140A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB262L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），140A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9800pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB2618L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta），23A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB260L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），140A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14200pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB2608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 72A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2995pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L AOB298L AOB29S50L AOB409L AOB411L AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418 AOB4184 AOB42S60L AOB440
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