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APT-8266R

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APT-8266R 技術(shù)參數(shù)
  • APT80SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80SM120J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):84A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):600nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):24000pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):151A 功率 - 最大值:462W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.7V @ 15V,80A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):9.84nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC
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