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APT37F50B TO3P

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APT37F50B TO3P 技術(shù)參數(shù)
  • APT37F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):37A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):145nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5710pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT36N90BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 2.9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):252nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7463pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT36GA60BD15 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):109A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,20A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:307μJ(開),254μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:18nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT36GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):109A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,20A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:307μJ(開),254μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:102nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):55A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):2.53nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G
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